یک مفهوم جدید در طراحی مدارات rf با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق

Authors

ندا پورداود

آرش دقیقی

abstract

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررسی اثرات غیرخطی در مدارات فرکانس بالا می باشند. در این مقاله، رابطه ای جدید به دست آمده است که نشان می دهد با تنظیم دقیق ولتاژ بایاس درین و مقدار مقاومت بدنه (با تنظیم مکان قرارگیری اتصالات بدنه) می توان پرش هدایت خروجی را از بین برد. سپس با استفاده از نرم افزار شبیه ساز ادوات نیمه هادی، یک ماسفت سیلیکون بر روی عایق با اتصال بدنه با طول کانال 45 نانومتر ایجاد و روابط بر روی آن پیاده شده که نتایج به دست آمده با روابط کاملا صدق می کند. در انتها، یک نمودار مهم به دست آمده است که از روی آن می توان مقادیر ولتاژ درین و مقاومت بدنه را به گونه ای به دست آورد که اثری از پرش در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی نباشد. در انتها، بهبود در مقادیر اعوجاج هارمونیک کلی (thd) و اعوجاج هارمونیک سوم (hd3) و در نتیجه مقدار نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم (ip3) در یک تقویت کننده ی نویز پایین (lna) با استفاده از ماسفت سیلیکون بر روی عایق با طول کانال 45 نانومتر نشان داده می شود

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

یک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

full text

یک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

full text

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

full text

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

full text

ارائه ساختار نوین ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم روی عایق دو گیتی با پنجره اکسید در درین گسترده شده به‌منظور کاربرد در تکنولوژی نانو

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

full text

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023